| 产品型号： | TMR2501 | |
| 兼容型号： | TMR501 | |
| 磁阻结构： | 全桥 | |
| 供电电压： | 0～7 V | |
| 敏度（mV/V/Oe）： | 0.3 | |
| 电阻（kΩ）： | 5 | |
| 饱和场（Oe）： | ±1k | |
| 敏感方向： | Z轴 | |
| 磁滞（Oe）： | 1 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）： | ～50 | |
| 封装形式： | TO94 SSIP4 | |
| 交付周期： | In stock | |
| 规格说明书： |
产品概述：TMR2501是基于第四代磁感应技术——隧道磁阻（TMR）的线性传感器，可感应垂直于芯片表面的磁场强度。TMR2501采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，当垂直于芯片表面的磁场发生变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在全温度范围（-55℃~+150℃）内，TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。配合简单的磁路设计，TMR2501可广泛用于角度检测、电流传感、位移检测等多个场合。
产品特性：（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）低功耗；（4）优越的温度稳定性；（5）低磁滞；（6）宽工作电压范围
典型应用：（1）电流传感器；（2）角度检测；（3）位移检测
申明：（1）多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的，所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量，可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。（2）“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技新MG电子平台的合法注册商标。
