产品概述:TMR2501是基于第四代磁感应技术——隧道磁阻(TMR)的线性传感器,可感应垂直于芯片表面的磁场强度。TMR2501采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,当垂直于芯片表面的磁场发生变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在全温度范围(-55℃~+150℃)内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。配合简单的磁路设计,TMR2501可广泛用于角度检测、电流传感、位移检测等多个场合。
产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性;(5)低磁滞;(6)宽工作电压范围
典型应用:(1)电流传感器;(2)角度检测;(3)位移检测